Welcome to our websites!

Utriusque Electro-Optical Effectus in Ge/SiGe Copulata Quantum Wells

Silicon-substructio photonicae nunc consideratur posteritatis photonicae suggestum pro communicationibus socialibus infixa.Sed evolutio pacti et humilis potentiae opticorum modulatorum provocatio manet.Hic referimus effectum electronico-opticum gigantem in ge/SiGe quantum puteos copulatum.Effectus hic spondeus fundatur in effectu anomalo quanto Stark ob claustro separato electronicorum et foraminum in ge/SiGe quantum puteis copulato.Hoc phaenomenon adhiberi potest ad signanter meliores effectus modulatores lucis comparati ad vexillum accedit quod tantum in photonicis siliconibus elaboratum est.Mutationes in refractivo indice usque ad 2.3 × 10-3 mensurati sumus ad praeiudicium intentionis 1.5 V cum modulatione congruente efficientiam VπLπ 0.046 Vcm.Haec demonstratio viam sternit ad progressionem efficientis summus velocitatis modulatoribus innixus in systematibus materialibus Ge/SiGe.
       


Post tempus: Iun-06-2023