De magnetron putris et RF magnetron putris dividi potest.
Methodus DC putris requirit ut scopum positivum crimen quod ab ionu bombardarum processu ad cathodam arcto contactu transferre potest, et tunc haec methodus non potest nisi notitia conductoris putris, quod ad insulationem datam non convenit, quia. Ion crimen in superficie corrumpi non potest cum scopo insulationis bombardae, quae ad incrementum potentiae in superficie scopo ducet, et omnes fere intentiones applicatae ad scopo applicantur, sic casus accelerationis et ionizationis inter ion. duo polos reduci, vel etiam ionizari non possunt, perducit ad defectum continuae missionis, etiam interruptio et putris interruptio.Ideo frequentia radiophonica putris (RF) adhibenda est ad scuta insulating vel non-metallica scuta cum conductivity pauperum.
Putris processus implicat processus sparsos et varios energiae processus translationes: primum, particulae incidentes elastice cum atomis scopo colliduntur, et pars energiae motuum particularum incidentium in atomos scopo tradetur.In motu atomorum energiae alicuius clypei superat impedimentum potentiale ab aliis atomis circa ea formatum (5-10ev ad metalla), et deinde e cancello cancellorum eliduntur ad atomos situs exterminandos, et collisiones cum atomis adjacentibus adhuc repetitis. inde in collisione Caesar.Cum hoc collisio cascades ad superficiem scopum attingit, si energia atomorum motuum prope scopum superficiei maior est quam vis ligaturae superficiei (1-6ev pro metallis), atomi a superficie scopo separabunt et vacuum intrabunt.
Putris efficiendi est ars utendi particulis accusatis ad emittendum scopum superficiem in vacuo, ut particulas emittendas cumulate in subiecto.Typice, humilis-pressionis inertis gasi ardoris emissio adhibetur ad incidentes generandos.Scopum cathodum efficiens materias efficiens, subiectum adhibetur ut anode, 0.1-10pa argon vel alius gas iners in cubiculum vacuum introducitur, et emissio nitor sub actione cathodae (scoporum) 1-3kv DC negativa alta occurrit. intentione vel 13.56MHz RF intentione.Iones argonis bombardarum superficies scopo efficiens atomos scopo ut fundent et cumulant in subiecto ut tenuem cinematographicam formant.In praesentia multae sunt salientis modi, maxime inter secundarium putris, tertiarii vel quaternarii putris, magnetron putris, target putris, RF putris, inclinatio putris, communicatio asymmetrica, RF putris, ion radius saliens et reciprocus putris.
Quia exstinctae atomi energiae positivi cum decem electronico voltis energiae positis permutatis atomis sparguntur, putris atomi vim maximam habent, quae ad augendam atomorum facultatem in positis positis, subtilitatem positis dispositionis augendam, augendam, conducit. cinematographicum praeparatum validum cum subiecto adhaesionem habent.
Durante saliente, post gas ionized, gasi iones ad scopo cathode connexo sub actione campi electrici volant, et electrons ad cavitatem parietis fundati volant et distent.Hoc modo, sub humili intentione et demissione pressionis, numerus ionum est parvus et putris potentia scopo humilis;In alta intentione et pressura alta, etsi plures iones fieri possunt, electrons volitans ad subiectam vim altam habent, quae facile est calefacere subiectum et putris secundae etiam, afficiens qualitatem cinematographicam.Praeterea probabilitas collisionis inter atomos et scopos moleculas gasi in processu volandi ad subiectum multum augetur.Ideo in totum cavum dispergetur, quod scopum non solum devastabit, sed etiam singulas tabulas in paratione multilayrum cinematographicorum polluet.
Ad solvendum defectus superiores DC magnetron putris technologia in annis 1970 evoluta est.Efficaciter superat defectus cathodae putris humilis rate et incrementa temperaturae subiectae ab electrons causatis.Ideo celeriter ac late usus est.
Principium hoc est: in magnetron putris, quia electrons movens in agro magnetico Lorentz vim subjiciunt, eorum motus orbitas erit motus tortuosus vel etiam spiralis, eorumque motus via longior fiet.Numerus ergo colliculorum cum moleculis operariis gasorum augetur, ut plasma densitatis augeatur, et tunc rate putris magnetronis valde melior est, et sub inferiore putris voltage et pressione laborare potest ad reducendam inclinationem cinematographici pollutionis;Contra, etiam auget vis atomorum res in superficie subiecti, ut emendari possit qualitas pelliculae magna ex parte.Eodem tempore, cum electrons industriam per multiplices collisiones ad anodem perveniunt, factae sunt electronicae humilis-energiae, et tunc subiectae non aestuant.Ergo magnetron putris commoda habet "celeritate" et "caliditas humilis".Incommodum huius methodi est quod cinematographicus insulator parari non potest, et campus magneticus inaequalis usus in electrode magneto- phiae inaequales et scopos manifestas efficiet, utendo scopum proveniens in low rate, quod fere tantum 20% – 30 %.
Post tempus: May-16-2022